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　　美国IBM日前宣布，正在开发应用自旋电子学技术的新型非挥发性内存。通过采用由约100个由磁性材料沿三维方向构成的内存单元组成的层叠结构，生产成本与硬盘差不多。IBM阿尔马丁研究中心经理、SpinAps（IBM-斯坦福自旋电子学科学应用中心）IBM研究员斯图亚特·帕金（Stuart S. P. Parkin），在2005年2月22日于东京召开的“第3届纳米技术综合研讨会（JAPAN NANO 2005）”上，以《Novel Magnetic Memories Using Spintronic Materials and Devices》为题，发表了这一技术的概要。

　　此次发表的内存名为“Magnetic race-track Memory（磁性赛道内存）”。因其采用了由相当于记忆“0”、“1”信息的位单元的磁性材料连成了像是赛车跑道一样的形状而得名。在IBM此次倡导的内存中，race-track（赛道）由100个左右的位单元沿垂直于硅底板的方向连接而成，而且来回曲折。也就是说，从水平方向的实际密度上来说，用于读取和写入的单个位元素的水平面积上，可以记录约100位的信息。这样，与IBM等多家公司目前正在研发的磁性内存“MRAM”相比，据说集成度可提高至100倍左右。而读取和写入时间约为50ns，基本上和现有的DRAM相同。

　　在连续形成位单元的race-track中，自旋方向相反的单元之间会产生磁畴壁（Magnetic Wall）。IBM此次发现了向race-track施加电流脉冲后，磁畴壁会发生移动的现象。据介绍应用这种现象，就能实现可随机访问的非挥发性内存。目前由于磁性赛道内存仍处于基础研究阶段，因此预计要等到5～10年后才能达到实用水平。

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